编号：CPJS04869
篇名：N/P/As/Sb掺杂（9,0）型碳化硅纳米管的第一性原理
作者：戴剑锋[1,2] ;陈达城[2] ;崔春梅[2] ;樊学萍[2]
关键词：碳化硅纳米管 掺杂 第一性原理 N型半导体 P型半导体
机构： [1]兰州理工大学甘肃省有色金属新材料重点实验室,甘肃兰州730050; [2]兰州理工大学理学院,甘肃兰州730050
摘要： 基于第一性原理,研究（9,0）型碳化硅纳米管壁掺杂N/P/As/Sb元素对其电子结构的影响.结果表明,随着掺杂的VA族原子半径的增加,电负性的减弱,其能带结构发生较大改变,特别是As/Sb分别取代Si原子后,其能带展示出P型半导体特性,这点不同于N原子掺杂后的半金属性,P原子掺杂后表现出的N型半导体特性.计算结果说明五族元素掺杂碳化硅纳米管并不都是N型掺杂.
