编号：CPJS05010
篇名：Sb_2S_3纳米粒子敏化ZnO微纳分级结构的光电化学性能
作者：郭志敏[1] ;郝彦忠[1,2] ;裴娟[2] ;孙宝[2] ;李英品[2]
关键词：光电化学 Sb2S3纳米粒子 ZNO纳米棒 微纳分级结构 壳核结构
机构： [1]河北科技大学化学与制药工程学院,河北石家庄050018; [2]河北科技大学理学院,河北石家庄050018
摘要： 采用电化学沉积方法,选择聚乙二醇（PEG-400）和乙二胺（EDA）为添加剂,直接在ITO导电玻璃上制备了有序阵列的ZnO纳米棒,以及ZnO纳米棒上生长纳米棒微纳分级结构。采用化学浴沉积法均匀沉积Sb2S3纳米粒子,制备了Sb2S3/ZnO纳米棒壳核结构和Sb2S3/ZnO纳米棒上生长纳米棒分级壳核结构。利用扫描电子显微镜（SEM）、X射线衍射（XRD）、紫外-可见吸收光谱（UV-vis）、瞬态光电流等分析手段对其形貌、结构和光电化学性能进行了表征和测试。研究表明,Sb2S3/ZnO纳米棒上生长纳米棒分级壳核结构阵列膜的光电流明显高于Sb2S3/ZnO纳米棒壳核结构阵列。
