编号：CPJS05444
篇名：P掺杂单壁硅纳米管Mg原子吸附性能的第一性原理研究
作者：周爽 ;刘贵立 ;姜艳 ;宋媛媛
关键词： 密度泛函理论 单壁硅纳米管 P掺杂 Mg原子吸附
机构： 沈阳工业大学建筑与土木工程学院,沈阳110870
摘要： 采用密度泛函理论的广义梯度近似和平面波赝势方法,研究P掺杂单壁硅纳米管对Mg原子的吸附性能.计算本征、掺杂P、施加形变作用（压缩和拉伸）的（6,6）硅纳米管外壁对Mg原子的吸附能,分析掺杂P前后的成键情况及电荷布局数.结果表明,掺杂P使体系形成Mg-P和Si-P间的离子性键,增强了Si-Si间的离子性键,P掺杂硅纳米管超晶格中离子键与共价键共存;掺杂P后显著提高了硅纳米管外壁对Mg原子的吸附能力;硅纳米管外壁对Mg原子的吸附能在0.25%,0.50%,1.00%,1.25%的压缩量和1.00%,1.25%的拉伸量时增大,可显著增强硅纳米管材料作为增强相时与基体界面间结合的粘附性.
