编号：NMJS06325
篇名：p-ZnO∶（Ag,S）薄膜上生长ZnO纳米结构的研究
作者：卢忠 ;魏高尧 ;鄢波 ;隋成华 ;蔡依辰
关键词： ZNO纳米结构 银硫共掺ZnO薄膜 退火温度
机构： 浙江工业大学理学院,浙江杭州310023
摘要： 利用水热法在p型银硫共掺ZnO（p-ZnO︰（Ag,S））薄膜上生长ZnO纳米结构.通过扫描电子显微镜（SEM）,X射线衍射（XRD）,光致发光谱（PL）及吸收谱研究了p-ZnO︰（Ag,S）薄膜在不同温度下退火后对ZnO纳米结构及其光学特性的影响.当退火温度低于300℃时,SEM图像显示ZnO纳米结构为纳米柱形式出现,并且随着退火温度的升高纳米柱长度减小直径增加;当退火温度为350℃时,ZnO纳米结构出现了大量平板结构;当退火温度为400℃时,ZnO纳米结构又回归为纳米柱结构.XRD谱显示ZnO纳米结构以（002）择优取向进行生长,PL谱显示ZnO纳米结构以602nm左右的缺陷发射峰占主导,吸收谱显示ZnO纳米结构的禁带宽度随退火温度的升高逐渐增大,在350℃时出现最大值,此后随退火温度升高而减小.通过在p-ZnO︰（Ag,S）薄膜上生长ZnO纳米结构的研究将更加有助于ZnO半导体器件的研究.
