编号：CPJS05809
篇名：稀土Er^3＋/Yb^3＋掺杂对多孔硅结构和光致发光性能的影响
作者：张春玲[1] ;唐蕾[2] ;张会平[1] ;姚江宏[1]
关键词： 多孔硅 电化学 稀土掺杂 荧光光谱 X射线衍射
机构： [1]南开大学物理科学学院,天津300071; [2]武警后勤学院电子电工教研室,天津300309
摘要： 利用双槽电化学腐蚀方法制备多孔硅,并用电化学掺杂方法对多孔硅进行稀土元素Er^3＋/Yb^3＋ 掺杂.利用扫描电镜和X 射线衍射光谱分析所制备样品的结构和成分;通过对比掺杂前后以及退火前后荧光光谱的变化,分析能级变化情况和能量传递过程,认为可见光区的绿光源于SiOx （1〈x 〈2）氧化层中的Si-O 键,可见光区的红光和近红外区域的发光,源于Er^3＋ 和Yb^3＋ 离子之间交叉弛豫或者选择性跃迁.
