编号：NMJS07144
篇名：表面改性对膨胀石墨电容性能的影响
作者：向震 范宝安 史东辉 张俊波 吴子健
关键词： 膨胀石墨 超级电容器 比电容 表面改性
机构： 武汉科技大学化学与化工学院 煤转化与新型碳材料湖北省重点实验室 冶金矿产资源高效利用与造块湖北省重点实验室
摘要： 以膨胀石墨作为电容材料,研究了表面修饰和蚀刻对其电容行为的影响。采用恒流充放电、循环伏安等手段对其电性能进行了测试,采用红外光谱对其表面化学基团进行了表征。结果表明:膨胀石墨经H2O2表面修饰后,比电容由1.94F/g提高至5.05F/g,红外光谱分析表明处理后膨胀石墨表面产生了大量的羰基和羟基等含氧基团;经KOH蚀刻后,表面没有出现新的化学基团,但其表面被活化,更容易与H2O2发生化学反应,使得表面含氧官能团密度增大,故蚀刻后的膨胀石墨再经H2O2处理,其比电容由4.54F/g提高至15.90F/g,但电位窗口阈值由1.0V下降至0.4V。
