编号：FTJS07356
篇名：PMMA/PVA双支撑膜辅助铜刻蚀法:一种改进的石墨烯转移技术
作者：王胜涛 卢维尔 王桐 夏洋
关键词： 石墨烯转移 聚乙烯醇(PVA) 残胶 铜刻蚀法 聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA) 支撑膜
机构： 中国科学院微电子研究所微电子仪器设备研究中心 北京交通大学理学院 中国科学院微电子研究所微电子器件与集成技术重点实验室 中国科学院大学
摘要： 石墨烯具有高载流子迁移率、高热导率、高力学强度等独特性能,可应用于微电子器件、生物传感器、燃料电池、储能器件等,在许多领域拥有广阔的发展前景。如何转移得到少残胶、无破损的石墨烯是其在电子器件中应用必须解决的问题。常规的基于铜刻蚀法的石墨烯转移技术存在因聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)溶解不彻底、残留在石墨烯表面而造成污染的不足。鉴于此,本工作提出了PMMA/PVA双支撑膜辅助铜刻蚀法,即在铜刻蚀法中引入高水溶性的聚乙烯醇(PVA,醇解度98%)作为高强度PMMA和石墨烯之间的阻隔层,构成双支撑膜。光学显微镜(OM)、拉曼(Raman)光谱及电学性能测试的结果表明,该方法转移得到的石墨烯残胶少、表面洁净,具有高的结晶特性,并且其背栅场效应晶体管(BGFET)表现出良好的载流子迁移率。此外,该方法操作简便,同时还是一种潜在的用于多种二维材料转移的普适技术。
