资料中心

流化床化学气相沉积法制备近化学计量比的TiN粉体

编号:FTJS08096

篇名:流化床化学气相沉积法制备近化学计量比的TiN粉体

作者:桑元 向茂乔 宋淼 朱庆山

关键词: 流化床化学气相沉积 氮化钛 粉体 化学计量比

机构: 中国科学院过程工程研究所 中国科学院大学化学工程学院

摘要: 传统气-固反应工艺制备TiN粉体存在难以逾越的内扩散控制过程,导致制备高纯、正化学计量比的TiN粉体至今存在巨大困难。提出了流态化化学气相沉积工艺(FBCVD)制备高质量TiN粉体,即基于TiCl4-N2-H2体系,在往复运动的TiN种子粉体上沉积新生高质量TiN粉体的新方法。实验发现,当TiN种子粉体粒径大于52.95μm时,即使在1000℃沉积2 h也不会失流,同时在TiN种子粉体上获得了亚微米级的结节状新生TiN颗粒。通过氧氮分析仪和XRD分析发现,新方法显著提升了粉体的氮含量,获得了近化学计量比的TiN0.96,且氧含量下降了约40%。此外,流化床中气相沉积TiN的生长模式为岛状生长模式,为工业中制备高质量TiN粉体提供了一种新的方法。

最新资料
下载排行

关于我们 - 服务项目 - 版权声明 - 友情链接 - 会员体系 - 广告服务 - 联系我们 - 加入我们 - 用户反馈