编号：FTJS08132
篇名：Zn2+掺杂对共沉淀法制备Ce:Gd3Ga3Al2O12陶瓷粉体闪烁性能的影响
作者：邱智华 张鲜辉 王帅华 吴少凡 林永红
关键词： 共沉淀法 前驱粉体 Ce:GAGG陶瓷粉体 Zn2+共掺杂
机构： 中国科学院福建物质结构研究所半导体光电材料及其高效转换器件协同创新中心 中国科学院大学
摘要： 利用化学共沉淀法制备Zn2+共掺的Ce:GAGG陶瓷粉体。研究了Zn2+共掺的Ce:GAGG陶瓷前驱粉体的TG/DTA和FTIR曲线;分析了不同煅烧温度对Ce:GAGG陶瓷粉体相、形貌和颗粒度分布的影响;研究了Zn2+含量对Ce:GAGG陶瓷粉体光致发光,辐射发光,激发光谱和荧光寿命的影响。研究表明:前驱粉体在883℃的相组成为GdAlO3相和GAGG相;前驱粉体在煅烧温度为900℃时,完全转化为GAGG相;当煅烧温度为1200℃时,GAGG颗粒尺寸控制在20~60nm,分布均匀;随着Zn2+含量的变化,光致发光和辐射发光强度也相应变化,特别的,当Zn2+含量为0.4 mol%时,光致发光和辐射发光强度达到最大值;随着Zn2+掺杂含量的上升,荧光寿命出现下降的趋势。因此,Zn2+含量对Ce:GAGG陶瓷粉体的辐射发光具有明显的影响,对降低荧光寿命具有积极的作用,对于提高GAGG闪烁材料的快速响应具有重要意义。
