编号：CYYJ02336
篇名：六方氮化硼在二维晶体微电子器件中的应用与进展
作者：高渤翔 方茹 吴天如
关键词： 二维(2D)材料 六方氮化硼(h-BN) 微电子器件 介电衬底 隧穿器件 存储阵列 封装材料
机构： 中国科学院 中国科学院大学 中国电子科技集团公司第三十二研究所
摘要： 六方氮化硼(h-BN)因其优异的性能和潜在的应用前景而受到广泛关注。着眼于h-BN在微电子器件领域中的发展与应用,总结了近年来国内外通过化学气相沉积(CVD)方法实现hBN的高质量、大规模可控制备及图形化的代表性工作。围绕h-BN的高介电常数、原子级平滑表面、高导热性和高稳定性,重点介绍了h-BN在二维晶体介电衬底、半导体器件热管理平台以及集成电路封装材料中应用的研究进展,并简述了将h-BN应用于隧穿器件和存储阵列的研究成果。最后,对h-BN在新型微电子器件大规模应用的已有成果进行总结,并展望了该领域未来的研究与发展方向。
