编号:CYYJ02392
篇名:具有荧光特性的硅量子点合成及在铁离子检测中应用
作者:余佩林 陈磊 刘军 陈华林 丁克毅 李贺
关键词: 硅量子点 铁离子检测 荧光淬灭
机构: 西南民族大学化学与环境学院 成都信息工程大学光电工程学院
摘要: 设计了一种新型的高荧光硅量子点(Silicon quantum dots,Si QDs)的合成方法,并尝试探索其制备机理以及在三价铁离子(Fe3+)检测中的应用.与传统的还原法制备硅量子点相比,3-氨丙基三乙氧基硅烷(APTES)在硫酸的作用下能够得到具有高荧光、低尺寸特性的硅量子点.结果表明该硅量子点的最佳激发波长和对应发射波长分别为305 nm和384 nm.在水溶液中,Si QDs和Fe3+通过配位作用使得硅量子点发生明显聚集诱导淬灭现象(aggregation caused quenching ACQ),该方法能在2.5μM~250μM的范围内实现对Fe3+的灵敏检测,检出限为670 nM.