编号：CYYJ02443
篇名：锡掺杂CsPbBr3量子点的合成及其光电性能研究
作者：曾凡菊 谭永前 张小梅 尹海峰 陈威威 唐孝生
关键词： 材料 锡掺杂CsPbBr3量子点 晶体结构 光致发光 电致发光
机构： 重庆大学光电工程学院 凯里学院大数据工程学院
摘要： 采用热注入法合成了锡掺杂CsPbBr3量子点。透射电子显微镜和X射线衍射仪(XRD)的表征结果显示,少量锡掺杂可以部分替代铅,对量子点有钝化作用,减少了量子点的表面缺陷,提高了量子点的光致发光量子效率(PLQY)。当掺杂铅和锡的物质的量比为9:1时,量子点的PLQY从未掺杂时的21.0%提高到了40.4%。随着锡掺杂量的增加,XRD谱中出现了杂相,光致发光减弱,PLQY由少量锡掺杂(铅和锡的物质的量比为9:1)量子点的40.4%降低到CsPb0.6Sn0.4Br3的10.4%。少量锡掺杂的CsPb0.9Sn0.1Br3具有最强的光致发光和电致发光,其光致发光峰位为511 nm,PLQY为40.4%,电致发光峰位为512 nm,电致发光亮度为343.0 cd/m2,是未掺杂CsPbBr3量子点发光二极管亮度的2.5倍。本实验证明了采用少量锡掺杂CsPbBr3(CsPb0.9Sn0.1Br3)可以降低量子点的表面缺陷,提高量子点的光致发光与电致发光性能。
