编号:NMJS07926
篇名:钾掺杂钨合金中气相热充氘的热脱附行为
作者:郑振华 叶小球 吴吉良 蒋春丽 杨飞龙 桑革
关键词: 面向等离子体材料 钾掺杂钨合金 气相热充 热脱附 氘滞留
机构: 中国工程物理研究院材料研究所 表面物理与化学重点实验室
摘要: 钾(K)掺杂钨(W)合金已经表现了优异的高温力学性能,成为最有希望的PFMs备选材料之一。为评估氢同位素在W-K合金中的滞留情况,采用放电等离子烧结技术(SPS),制备了纯W及K含量82μg/g的W-K合金,通过气相热充法引入氘(D)元素,考察热脱附行为。研究表明,气相热充氘释放温区从600K延伸至1200K,掺杂K后,D脱附活化能从0.86 eV下降到0.68 eV;纯W样品D滞留量在1×10-6(原子比)左右,掺杂K后有所提高,但依然大大优于商用ITER级纯W。