编号：FTJS08574
篇名：HVPE法制备碳掺杂半绝缘氮化镓晶圆片
作者：赖云 罗晓菊 王现英
关键词： 氢化物气向外延 氮化镓 晶体生长 碳掺杂 晶圆片
机构： 上海理工大学材料科学与工程学院 镓特半导体科技（上海）有限公司
摘要： 利用氢化物气相外延法(HVPE)生长,以甲烷为掺杂源,成功制备获得四英寸自支撑半绝缘氮化镓(GaN)晶圆片。所使用掺杂气体为浓度为5%的甲烷气体,混合于N2载气中。所制备晶圆片厚度可达800μm以上,表面无裂纹,表明粗糙度在0.6 nm以下。(002)和(102)晶面X射线衍射摇摆曲线的半峰宽均小于100 arcsec,普遍在为40~60 arcsec,曲率半径可达20 m及以上,位错密度低于106/cm2,测得电阻率大于109Ω-cm。
