编号：SBJS00843
篇名：LPCVD氮化硅设备对颗粒污染的影响研究
作者：吴清洋
关键词： LPCVD 氮化硅 颗粒污染
机构： 辽宁省交通高等专科学校
摘要： 颗粒污染在集成电路制造工艺中会引起严重的缺陷,会对后续光刻对位造成影响,甚至会导致电路性能下降、使用寿命缩短。尤其是在深亚微米集成电路制造工艺中,颗粒污染对产品良率的影响就更为严重了。在炉管低压化学气相淀积(LPCVD)工艺中,Si_3N_4工艺的颗粒污染问题最难控制。为了降低氮化硅薄膜制程中的颗粒污染,主要从LPCVD氮化硅薄膜生产设备出发,深入研究和探讨各环节可能存在的微粒污染问题,为低颗粒污染生产提供依据。
