编号：CYYJ01694
篇名：PECVD法沉积大尺寸氮化硅薄膜性能的研究
作者：胡毓龙 金哲山 董杰 刘晓婷 霍建宾
关键词： 薄膜晶体管 化学气相沉积 氮化硅 均一度 致密度 膜厚
机构： 北京京东方显示技术有限公司
摘要： 采用等离子体增强型化学气相沉积(PECVD)法在大尺寸玻璃基板上沉积氮化硅薄膜,对薄膜性能进行了研究,并从微观角度对所得结论进行了进一步分析与讨论。PECVD法在连续沉积氮化硅薄膜时,薄膜的厚度、沉积速率、均一性以及致密度会随镀膜基板数变化。结果表明,随镀膜基板数量的逐渐增加,氮化硅薄膜平均厚度呈上升趋势,均一性变好,薄膜致密度呈下降趋势。
