资料中心

Zn2+掺杂SrAl2Si2O8陶瓷的结构及微波介电性能

编号:CYYJ02552

篇名:Zn2+掺杂SrAl2Si2O8陶瓷的结构及微波介电性能

作者:朱惠 丁士华 张云 宋天秀 李超

关键词: 低介电常数 锶长石 微波介电性能 晶体结构

机构: 西华大学材料科学与工程学院

摘要: 采用传统固相反应法制备(Sr1-xZnx)Al2Si2O8(x=0,0.005,0.010,0.030,0.060)微波介电陶瓷,探讨不同Zn2+取代量对SrAl2Si2O8(SAS)陶瓷晶体结构和微波介电性能的影响。将第一性原理引入到锶长石系微波介电陶瓷分析方法中,以确定取代元素(Zn2+)可能占据的位置(Sr2+,Al3+)。结果表明:Zn2+取代可促进SAS品质因数的提高(Q×f:37502~48252 GHz),同时也改善了SAS陶瓷样品的密度和谐振频率温度系数(τf)。当x=0.010、烧结温度为1500℃时,(Sr0.99Zn0.01)Al2Si2O8陶瓷获得最佳的介电性能:εr=7.0,Q×f=48252 GHz,τf=-36.35×10-6/℃。

最新资料
下载排行

关于我们 - 服务项目 - 版权声明 - 友情链接 - 会员体系 - 广告服务 - 联系我们 - 加入我们 - 用户反馈