编号：NMJS08127
篇名：碳化MoS2/掺硫g-C3N4异质结的合成及其在可见光下催化降解罗丹明B机理
作者：邱灵芳 马梦帆 刘哲媛 陈建 李平 陈祥树 喜多英敏 多树旺
关键词： 碳化MoS2 掺硫g-C3N4 半导体 异质结 可见光
机构： 江西科技师范大学表面工程重点实验室 江西师范大学化学化工学院 山口大学大学院创成科学研究院
摘要： 为了进一步提高聚合物半导体类石墨相氮化碳(g-C3N4)降解有机物的活性,通过简单的水热法复合得到碳化MoS2/掺硫g-C3N4异质结(MoSC/S-CN),并在可见光下研究其罗丹明B(RhB)的降解性能。结果表明,相较于纯g-C3N4,最优化的MoSC/S-CN样品对可见光的吸收范围得到明显拓宽,并且在100 min内对RhB的降解效率为92.5%,比纯g-C3NQ性能提高68.83%。一系列的结构和光学性质表明,掺硫后再进一步与碳化MoS2耦合可以协同作用于g-C3N4,改善g-C3N4的能带结构,加速光生电子空穴对的分离,有效提高光催化活性。
