编号：NMJS08146
篇名：沉积温度对化学气相沉积法制备铜薄膜性质的影响
作者：刘莎 徐源来 赵培 李紫琪 陈志杰
关键词： 双(2 2 6 6-四甲基-3 5-庚二酮)化铜 Cu薄膜 化学气相沉积 沉积温度 (111)择优取向
机构： 绿色化工过程教育部重点实验室化工与制药学院武汉工程大学 武汉工程大学材料科学与工程学院
摘要： 以双(2,2,6,6-四甲基-3,5-庚二酮)化铜(Cu(DPM)2)为前驱体,使用智能化学气相沉积设备在673 K至1173 K下于AlN多晶基板上制备Cu薄膜。研究了不同沉积温度对Cu薄膜的相组成、择优取向、宏观表面、微观结构、元素组成及电导的影响。在873 K至1173 K时制备了具有(111)择优取向的紫铜色铜薄膜,同时存在(200)和(220)取向,且铜晶粒呈岛状生长模式。随着沉积温度的升高,薄膜的导电性先增强后减弱。在1073 K时,制得了导电性最好且高度(111)择优取向的最纯紫铜色Cu薄膜,即1073 K为制备Cu薄膜的最佳沉积温度。
