编号：NMJS08166
篇名：大尺寸碳化硅单晶生长环境研究
作者：李鹏程 冯显英 李沛刚 李慧 宗艳民
关键词： 物理气相输运法 碳化硅 数值模拟 温度场 气相流场
机构： 山东大学机械工程学院 山东大学高效洁净机械制造教育部重点实验室 山东天岳先进科技股份有限公司
摘要： 针对基于物理气相输运法的碳化硅(SiC)单晶生长系统,考虑对流换热的影响建立了传热与传质数学模型,并采用数值模拟的方法研究了其生长系统内的温度场与气相流场。研究表明:坩埚内温度、温度梯度以及加热效率随线圈匝间距与线圈直径的增加而逐渐降低。旋转坩埚可有效解决因线圈螺旋形状而导致的温度场不均匀性。通过不断调整线圈与坩埚之间的相对高度,可保证高品质晶体生长所需的最优温度场环境。此外,坩埚内径尺寸的增加,会加剧其内部自然对流效应。
