编号:FTJS09009
篇名:SiC对粉碎烧结法制备P型Bi0.5Sb1.5Te3合金热电性能的影响
作者:王小宇 江威 朱彬 孙远涛 向波 黄中月 杨双根 祖方遒
关键词: Bi0.5Sb1.5Te3 SiC复合 粉碎烧结 热电性能
机构: 中国电子科技集团公司第三十八研究所 合肥工业大学材料科学与工程学院 南方科技大学理学院
摘要: 向粉碎法制备的Bi0.5Sb1.5Te3+5%Te(质量分数)合金粉体中混入不同体积分数的SiC颗粒,利用放电等离子体烧结法制备SiC复合块体材料,探究块体材料组织和热电性能的变化规律。研究发现:随着SiC体积分数的增加,块体材料的取向性弱化,组织细化,载流子浓度增加,迁移率降低;由于取向性弱化及组织细化,加强了声子散射,降低了晶格热导率。由于SiC复合块体材料的电学性能恶化,块体材料的无量纲热电优值(ZT)并未获得显著的提升;当SiC体积分数为0.40%时,SiC复合块体材料在322 K时具有最优的无量纲热电优值(ZT=~0.81)。