编号：CPJS00694
篇名：Ge掺杂二氧化钛复合薄膜制备及光吸收性能研究
作者：周艳军; 何芳; 王玉林; 黄远; 万怡灶;
关键词：溶胶凝胶法; 离子注入; TiO2复合薄膜; Ge; 光吸收;
机构： 天津大学材料学院; 天津市材料复合与功能化重点实验室; 辽宁工业大学化学与环境工程学院;
摘要： 采用磁控溅射和溶胶-凝胶两种方法在石英基体上制备了纯TiO2薄膜,并通过离子注入及溶胶掺杂方法分别对TiO2薄膜进行Ge掺杂改性。利用XRD、XPS及UV-Vis对两种TiO2复合薄膜的晶相结构、原子化学态以及光吸收性能进行了表征。结果表明,磁控溅射法制得TiO2薄膜为锐钛矿相,Ge离子注入引起复合薄膜的锐钛矿相消失,且该相600℃退火后并未得到恢复;经过退火后Ge在磁控溅射TiO2薄膜中以Ge单质存在。溶胶-凝胶法Ge掺杂复合薄膜中存在锐钛矿相TiO2和Ge晶相,Ge在薄膜表面以Ge和GeO2形式存在。两种掺杂方法制得的复合薄膜紫外-可见光吸收边均发生了红移。
