编号：CYYJ03087
篇名：SiC基体结构及其对C/SiC复合材料性能的影响研究
作者：房金铭 李钰梅 龚晓冬 张家华 李军平
关键词： SiC基体 C/SIC复合材料 PIP工艺 热解温度 力学性能
机构： 航天材料及工艺研究所 北京临近空间飞行器系统工程研究所
摘要： 采用聚碳硅烷作为前驱体,在800、1000、1200℃下烧结得到SiC基体,研究了温度对SiC基体密度、结晶程度的影响。结果表明基体随着温度的提高,基体密度提高,结晶程度逐渐提高,Si含量比例升高。在800℃时,基体密度为2.30 g/cm3,所得基体结构接近无定型态,在1000和1200℃下的密度分别为2.50和2.56 g/cm3,晶粒尺寸分别为2.6和4.1 nm。再以聚碳硅烷为前驱体,以碳纤维织物为增强体,采用PIP工艺制备C/SiC复合材料,热解最高温度同样为800、1000、1200℃,得到三组C/SiC复合材料,对复合材料进行了力学性能测试和断口微观结构观察,分析了基体结构对复合材料力学性能的影响。研究结果表明,在一定范围内提高热解温度,有利于改善基体特性和提高复合材料的致密化效率,从而使复合材料的力学性能有所提升,特别是弯曲、层间剪切和压缩性能提高作用明显。
