编号：CYYJ03327
篇名：锰掺杂和氧化铌种子层对铌酸钾钠薄膜电性能的影响
作者：朱海勇 张伟
关键词： 无机非金属材料 储能性能 溶胶凝胶法 铌酸钾钠薄膜
机构： 中国科学院上海技术物理研究所传感技术联合国家重点实验室 中国科学院红外成像材料与器件重点实验室 南京邮电大学电子与光学工程学院
摘要： 采用溶胶凝胶法制备铌酸钾钠(KNN)系薄膜,根据薄膜的微观形貌结构、电学性能和漏电机制研究了Mn掺杂和种子层对KNN薄膜性能的影响。结果表明:锰掺杂能显著提高薄膜的铁电性能和降低漏电流;在薄膜与衬底之间加入氧化铌种子层,使薄膜的电学性能进一步提高。薄膜的漏电流机制由空间电荷传导和欧姆传导转为欧姆传导和肖特基发射,使漏电流和剩余极化值减小。在强度为600 kV/cm的电场中,有种子层且掺10%(摩尔分数)Mn的KNN薄膜,其最大极化值和剩余极化值分别为20.33μC/cm2和2.94μC/cm2。
