编号：CYYJ03429
篇名：6英寸高纯半绝缘4H-SiC单晶电阻率均匀性
作者：樊元东 毛开礼 戴鑫 魏汝省 李天 李斌
关键词： 高纯半绝缘 碳化硅单晶 有限元仿真 电阻率均匀性
机构： 中国电子科技集团公司第十三研究所 山西烁科晶体有限公司
摘要： GaN射频器件在通信基建上的大幅应用,推进了6英寸高纯半绝缘4H-SiC单晶的产业化需求。随着晶体直径增大,6英寸高纯半绝缘4H-SiC单晶存在易开裂、电阻率分布不匀的问题。利用有限元仿真设计,优化了热场分布,降低了晶体内热应力聚集,减少了晶体开裂。采用SIMS、拉曼光谱等手段分析了影响6英寸4H-SiC单晶内电阻率分布不均匀的因素,发现主要原因为正向SiC晶体小面生长机制导致N元素分布不均。采用分区高能粒子辐照处理工艺,进行分区深能级点缺陷调控,电阻率可控制在1011Ω·cm以上,可将片内和片间电阻率最大值与最小值的比值控制在1个量级内,大幅提升电阻率均匀性。
