编号：NMJS08720
篇名：MOCVD同质外延生长的单晶β-Ga2O3薄膜研究
作者：陈陈 韩照 周选择 赵晓龙 孙海定 徐光伟 龙世兵
关键词： Ga2O3 MOCVD 同质外延 生长温度 生长压强
机构： 中国科学技术大学微电子学院
摘要： 采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术,在(010)Fe掺Ga2O3半绝缘衬底上进行同质外延生长Ga2O3薄膜,系统性地研究了生长温度(880℃/830℃/780℃/730℃)和生长压强(80/60/40/20 Torr)对外延薄膜表面形貌、晶体质量以及电学特性等的影响。结果表明随着生长温度和压强的增加:薄膜生长速率分别呈现出略微增加和大幅下降的趋势;薄膜表面阶梯束(step bunching)的生长方式逐渐增强,并且呈现出沿着[001]晶向生长的柱状晶粒;高分辨X射线衍射(XRD)扫描显示薄膜均只在(020)面存在衍射峰,表明生长的薄膜为纯β相单晶薄膜,且半高宽可达到45.7 arcsec;霍尔测试表明780℃和60 Torr的生长条件下薄膜的室温电子迁移率最高。本文为基于MOCVD的Ga2O3同质外延生长提供了系统的参数指导,为高质量Ga2O3薄膜的制备奠定了基础。
