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钛硅碳颗粒含量对TC4合金微弧氧化层的影响

编号:CYYJ03484

篇名:钛硅碳颗粒含量对TC4合金微弧氧化层的影响

作者:谷高扬 商剑 李琳

关键词: 微弧氧化 TC4 Ti3SiC2 耐腐蚀

机构: 辽宁工业大学材料科学与工程学院

摘要: 本文采用Na2WO4+Na2SiO3+Na3PO4电解液,采用恒流模式在TC4合金基体上制备了微弧氧化层,研究了不同添加浓度钛硅碳颗粒(2~8 g/L)对陶瓷层表面形貌、组织结构、摩擦曲线的影响。结果表明:电解液中钛硅碳浓度对氧化陶瓷层表面形貌、物相组成影响较小,同时添加钛硅碳增强了电解液的电导率,改善降低了起弧电压,有利于陶瓷层的厚度增加,同时减小摩擦。实验中,4 g/L时陶瓷层表面质量最好,8 g/L时减磨性最好。

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