编号：FTJS09897
篇名：高内偏置电场锯锰-锆钛酸铅压电陶瓷的制备
作者：吴凡 杨振哲 赵世言
关键词： 锯锰-锆钛酸铅 高内偏置场 工业级原料 稀土元素掺杂
机构： 第七一五研究所
摘要： 传统PZT-4系列材料内偏置电场(Ei=400~500V/mm)较低,不利于实际应用。为了改善其Ei文章采用工业级化工原料,通过传统固相法制备了锯锰-锆钛酸铅(0.04Pb(Mn1/3Nb2/3)O3-0.96Pb(Zr0.51Ti0.49)O3+0.15wt%CaCO3+0.13wt%Fe2O3+xwt%CeO2,x=0~0.8,x%Ce-PMN-PZT)压电陶瓷,研究了稀土元素Ce掺杂对于该体系压电陶瓷结构及性能的影响。结果表明,该体系在x=0~0.8的范围内,具有纯的钙钛矿结构。当x=0.4时,体系具有最佳综合电学性能,此时εr=1550,kp=0.567,d33=360pC/N,tanδ=0.316%,Qm=793,Tc=347℃,在E=3000V/mm下的电滞回线测试结果显示,其Ec=1615V/mm,Ei=709V/mm,该组分压电陶瓷具备传统P4材料常规电学性能的同时还拥有高内偏置电场,在功率型发射压电陶瓷领域具有很高的应用潜力。
