编号：CYYJ03585
篇名：GaN晶片电化学腐蚀表面摩擦磨损特性
作者：严杰文 阎秋生 潘继生
关键词： GaN晶片 电化学 腐蚀 摩擦磨损 摩擦因数 微观形貌
机构： 广东工业大学机电工程学院 广州计量检测技术研究院
摘要： GaN晶片是化学性质稳定的半导体材料，电化学作用可以有效地腐蚀GaN晶片表面，通过选择不同的电化学腐蚀电解质溶液和不同的腐蚀电位，可以调控晶片表面的电化学腐蚀效果。为了更好地理解电化学机械抛光对GaN晶片表面的材料去除机理，研究了电化学腐蚀的GaN晶片表面的磨损特性。将4英寸GaN晶片激光切割成10 mm×10 mm的正方形尺寸利用平面磨床将Ga晶片表面均匀研磨至相同的表面粗糙度，然后将研磨后的GaN晶片在不同的电化学腐蚀条件下进行电化学腐蚀。腐蚀实验中，电解液（NaOHNa2S2O8H3PO4）选取腐蚀电位(10 V20 V30 V)进行GaN表面的电化学腐蚀.
