编号：FTJS10186
篇名：双源气相沉积法制备Si/CsPbBr3光电探测器
作者：吴成云 程晨 刘雨杭 张彦
关键词： 光电探测器 CsPbBr3薄膜 双源气相沉积 钙钛矿 异质结
机构： 合肥工业大学微电子学院
摘要： 全无机钙钛矿CsPbBr3薄膜具有优异的光电特性,探索其新的制备工艺并与Si集成实现良好的光电探测具有重要意义。通过双源气相沉积在Si衬底上制备了CsPbBr3薄膜,并研究了CsPbBr3薄膜的光学吸收、物相组成、形貌结构等性质,在此基础上构建了Si/CsPbBr3异质结光电探测器,并对器件性能进行了表征。得益于气相法沉积的高质量CsPbBr3薄膜,以及Si和CsPbBr3对光的协同吸收,Si/CsPbBr3异质结光电探测器能够实现300~1100 nm的宽光谱范围探测,并表现出了良好的光电响应。在532 nm光照下,器件的响应度和比探测率分别为24.85 mA/W和1.01×1011Jones。此外,器件的响应时间为260/211μs,能实现快速的光响应。这项工作为硅基钙钛矿光电器件的制备与应用提供了新的机会。
