编号：CYYJ03805
篇名：基于高性能二维二硒化钨的光电探测器
作者：刘翔宇 唐嘉琦 谭志富 潘曹峰
关键词： 二维二硒化钨 物理气相沉积 PN结 光电探测器
机构： 中国科学院北京纳米能源与系统研究所 中国科学院大学纳米科学与工程学院
摘要： 通过物理气相沉积(PVD)方法制备了二维二硒化钨(WSe_2)材料,并与利用化学气相沉积(CVD)方法制备的材料进行对比,证明了其具有不同的导电类型和更好的电学性质.利用两种不同工艺所得材料分别为p型和n型导电的性质,制备了由同种WSe_2材料组成的pn结器件.测试结果表明,该器件在黑暗条件下具有单向整流性和对光照极灵敏的响应度,证明了其在光电器件应用领域具有广泛的发展前景。
