编号：FTJS10222
篇名：氮化硅基防静电陶瓷球的制备及其性能评价
作者：张晶 王文雪 孙峰 张明帅 张伟儒
关键词： 滚动轴承 球轴承 氮化硅陶瓷 氮化钛 力学性能 导电性
机构： 中材高新氮化物陶瓷有限公司 中国航发哈尔滨轴承有限公司
摘要： 以TiN作为导电添加相,成功制备出Si3N4基防静电陶瓷球,研究了TiN对Si3N4基陶瓷球致密化、显微结构、力学性能及电阻率的影响。结果表明:大量TiN的加入阻碍了Si3N4的致密化,降低了Si3N4基陶瓷的抗弯强度、维氏硬度和电阻率,提高了其断裂韧性;与加入微米级TiN的试样相比,加入相同含量纳米级TiN试样的各项性能更优;纳米级TiN质量分数30%的陶瓷球不仅具有防静电功能,且综合力学性能最佳,其维氏硬度、断裂韧性和压碎强度分别为(1482±15)HV 10,(8.2±0.1)MPa·m 1/2,(417±10)MPa。
