编号：NMJS08966
篇名：物理气相传输法合成AlN单晶性能表征
作者：周振翔 陈宁 李丹 石爽爽 倪代秦 陈建荣 黄存新 李荣臻 魏华阳
关键词： 氮化铝 物理气相传输法 半峰全宽 杂质 缺陷
机构： 北京中材人工晶体研究院有限公司 中材人工晶体研究院有限公司 宁波大学物理科学与技术学院 中材人工晶体研究院（山东）有限公司
摘要： 采用物理气相传输(PVT)法通过同质外延生长获得14 mm×12 mm的AlN单晶样品。对样品进行切割、研磨、化学机械抛光处理后,采用拉曼光谱仪、高分辨X射线衍射仪、X射线光电子能谱仪、光致发光光谱仪对样品进行测试表征。拉曼测试结果表明,晶体中心区域的拉曼光谱E2(high)声子模的半峰全宽为3.3 cm-1,边缘区域E2(high)声子模的半峰全宽为4.3 cm-1,晶体呈现较高的结晶质量。XRD摇摆曲线表征结果显示,外延生长后的晶体中心和边缘区域的摇摆曲线半峰全宽增大至100″和205″,表明晶体内存在缺陷。XPS测试结果表明,晶体内存在C、O、Si杂质元素,杂质的原子数分数分别为0.74%、1.43%、2.14%,晶体内发现以氧杂质为主的Al—O、N—Al—O等特征峰。光致发光光谱测试结果显示,晶体内存在VAl-ON复合缺陷和VAl点缺陷。
