编号：NMJS08980
篇名：沉积功率对溅射制备镓镁共掺杂氧化锌薄膜光学和电学性能的影响
作者：钟志有 万鑫 顾锦华 龙浩 杨春勇 陈首部
关键词： 氧化锌 薄膜 掺杂 光电性能
机构： 中南民族大学电子信息工程学院 中南民族大学智能无线通信湖北省重点实验室 中南民族大学实验教学与工程训练中心
摘要： 采用控溅射工艺制备了镓镁掺杂氧化锌(Zn O:Ga-Mg)透明导电薄膜,通过多种表征技术研究了沉积功率对薄膜结构、形貌、光学和电学性能的影响.实验结果表明,所有薄膜均为六角纤锌矿结构并且具有c轴择优取向生长特点,并且沉积功率明显影响薄膜的性能.沉积功率为150 W时所制备的Zn O:Ga-Mg薄膜具有最好的结晶质量和光电性能,对应的平均可见光透过率为92.2%、电阻率为1.18×10-3Ω·cm、品质因数为1.04×104Ω-1·cm-1、晶格应变为1.95×10-3、位错密度为1.17×1015m-2.另外,利用光学表征方法获得了Zn O:Ga-Mg薄膜的光学常数,同时根据单振子WDD模型研究了薄膜的光学色散性质,得到了薄膜的振子参数、非线性光学常数和光学能隙.研究结果表明沉积功率是影响Zn O:Ga-Mg薄膜结构和光电性能的最重要的工艺参数之一。
