编号：FTJS10346
篇名：氮掺杂工艺以及退火处理对直拉法单晶硅的影响
作者：熊欢 陈亚 芮阳 伊冉 蔡瑞 王黎光 杨少林
关键词： CZ硅 缺陷 氮掺杂 氧沉淀物 空洞
机构： 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司宁夏半导体级硅晶圆材料工程技术研究中心 北方民族大学材料科学与工程学院宁夏硅靶及硅碳负极材料工程技术研究中心
摘要： 随着集成电路的飞速发展,要求超大规模集成电路用硅片具有更少的晶格缺陷及更低的有害杂质含量。因此,在晶体生长和器件制造过程中,必须对缺陷进行很好地控制,缺陷在硅材料的质量控制中起着关键作用。近年来通过氮掺杂控制缺陷动力学并改变缺陷的演变已被广泛应用于直拉法单晶硅中。本文以氮掺杂技术为基础,介绍了氮掺杂剂的基本性质及其与CZ硅中点缺陷的相互作用,氮掺杂对氧沉淀物、空洞的影响,以及退火处理对晶体原生颗粒、体微缺陷等的影响。
