编号：CYYJ03949
篇名：二维Ag2S的电子和光电性能的第一性原理研究
作者：相悦 张川川 杨文辉 段海明
关键词： 替换掺杂 各向异性 光学性质 第一性原理
机构： 新疆大学物理科学与技术学院
摘要： 二维Ag2S是一种具有间接宽带隙的半导体材料,由其在平面内和平面外具有独特的力学性质,因此受到了人们的广泛关注.本文基于密度泛函理论进行了第一性原理计算,研究了二维Ag2S的电子、光学性质的变化.二维Ag2S具有较强的方向各异性,通过不同浓度的O取代S替换掺杂,发现随着O浓度的增加,带隙值出现先增大后减小的现象;由于O元素的引入,使二维Ag2S结构对称性降低,引起能带及光吸收、光反射的分布离散化.y方向4.56~5.36 e V处光吸收及光反射峰随掺杂浓度增加逐渐减小,且出现明显的蓝移
