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电子级多晶硅原料中痕量硼磷杂质的脱除研究进展

编号:FTJS10403

篇名:电子级多晶硅原料中痕量硼磷杂质的脱除研究进展

作者:闫可欣 姜洪涛 高维群 郭晓晖 孙伟振 赵玲

关键词: 硼磷杂质 吸附 蒸馏 反应精馏 三氯氢硅 氢

机构: 华东理工大学化学工程联合国家重点实验室 新疆协鑫新能源材料科技有限公司

摘要: 三氯氢硅和氢气中痕量硼磷杂质的含量是影响多晶硅品质的主要因素。提高硼磷杂质的脱除效率有利于电子级多晶硅的大规模生产,实现我国能源信息产业升级。综述了三氯氢硅和氢气中硼磷杂质脱除方法的研究进展,重点介绍了各类提纯方法的特点。其中,反应-吸附-精馏耦合技术集合了精馏法和化学提纯法的优点,是三氯氢硅精制过程中最具有发展前景的方法;吸附法凭借其负载的活性物质对硼磷杂质的高选择性,成为氢气精制最常使用的工艺。最后,系统探讨了吸附剂结构特点及与吸附性能的构效关系,在此基础上总结并展望了多晶硅原料中硼磷杂质脱除面临的挑战和发展方向。

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