编号：CYYJ04304
篇名：掺硼浓度与沉积气压对Ti/BDD微观结构和电化学氧化性能影响规律研究
作者：刘典宏 尹钊 陈峰磊 马莉 李静 魏秋平
关键词： 钛基硼掺杂金刚石薄膜电极 电化学氧化 掺硼浓度 沉积气压 四环素
机构： 中南大学材料科学与工程学院 中南大学粉末冶金国家重点实验室
摘要： 探究在热丝化学气相沉积生长硼掺杂金刚石的过程中,掺硼浓度与沉积气压对钛基硼掺杂金刚石薄膜的微观结构与电化学氧化性能的影响,并以四环素作为模拟污染物进行电化学氧化降解实验。使用扫描电子显微镜、拉曼光谱、紫外分光光度计以及电化学工作站对电极表面形貌、成分以及电化学性能进行表征。结果表明:随着掺硼浓度与沉积气压的增大,金刚石薄膜表面晶粒明显细化,生长速率下降;然而随着沉积气压的升高,金刚石的晶粒质量逐渐降低,但硼原子掺杂则会提高金刚石晶粒质量;在高掺硼浓度和低沉积气压的条件下,金刚石薄膜表面的硼原子浓度更高;高掺硼浓度和低沉积气压下所生成的较大晶粒尺寸和更高硼原子浓度的硼掺杂金刚石电极具有更优越的电化学性能、更高的降解效率以及更低的降解能耗。
