编号：FTJS106570
篇名：富集硼11三氟化硼制备工艺的研究进展
作者：秦涛 燕秀香 江晓娟
关键词： 三氟化硼 富集硼11 制备
机构： 山东合益气体股份有限公司
摘要： 富集硼11三氟化硼是半导体离子注入的重要掺杂源,与天然丰度三氟化硼相比,可显著提高芯片的稳定性和抗辐射干扰,被广泛应用于通信、国防、航空航天等领域中,随着国产替代化的进程,其制备工艺和生产路线呈现出相应的优缺点,在实际生产中,企业可根据自身情况选择合理的生产路线,得到富集硼11三氟化硼产品。文章主要对富集硼11三氟化硼制备工艺的研究进展加以论述,以供参考。
