编号：FTJS106571
篇名：基于大厚度六方氮化硼中子探测器的制备
作者：刘敬润 曹炎 刘晓航 范盛达 王帅 陈曦 刘洪涛 刘艳成 赵江滨 何高魁 陈占国
关键词： 宽禁带半导体 六方氮化硼 中子探测 低压气相化学沉积 深紫外光电探测器
机构： 吉林大学电子科学与工程学院 上海应用物理研究所 中国原子能科学研究院核技术综合研究所 长春理工大学物理学院 中国科学院大学
摘要： 六方氮化硼是一种中子敏感材料。介绍了使用低压气相化学沉积在1673K下以大约20μm/h的生长速率制备了高质量203μm厚的六方氮化硼。在氮化硼的两侧沉积厚度为100nm的金电极,制备了垂直结构的六方氮化硼中子探测器。该器件的电学性质表明制备的六方氮化硼材料的迁移率寿命的乘积(μτ)为2.8×10-6cm2/V,电阻率为1.5×1014Ω·cm。在850V电压下,该探测器对热中子的探测效率为34.5%,电荷收集效率为60%。
