编号：CYYJ043166
篇名：氧化锰-氧化铪双层结构阻变存储器交叉阵列的研究
作者：胡全丽 罗涵琼 苏旺
关键词： 氧化锰 氧化铪 阻变存储器 交叉阵列
机构： 内蒙古民族大学纳米创新研究院
摘要： 组建了具有5×5交叉阵列结构的Ag/MnO/HfO2/Pt阻变存储器,研究了MnO和HfO2双层结构的电阻转变特性。器件表现出高开关比、低操作电压和无电初始化等稳定的双极性电阻转变特性。电阻转变机制主要为欧姆传导和肖特基发射机制。证明了具有5×5交叉阵列结构的Ag/MnO/HfO2/Pt器件有望成为一种有潜力的阻变存储器候选体系。
