编号：FTJS106726
篇名：二维六方氮化硼的制备及其光电子器件研究进展
作者：罗曼 周杨 成田恬 孟雨欣 王奕锦 鲜佳赤 秦嘉怡 余晨辉
关键词： 二维材料 六方氮化硼 材料特性 制备方法 光电子器件
机构： 南通大学微电子学院（集成电路学院）
摘要： 六方氮化硼是一种具有宽带隙和二维层状结构的代表性材料,拥有优异的物理化学稳定性和高热导率等独特特性。其表面原子级平整、无悬挂键和带电杂质,被公认为是作为其它低维材料衬底的理想选择。另一方面,六方氮化硼对深紫外波段的强吸收和中红外波段的双曲特性,使其成为了制备高性能深紫外和中红外探测器的重要材料。本文首先介绍了六方氮化硼的晶体结构和材料特性,然后将材料制备方法分为“自上而下”和“自下而上”两类,系统阐述了六方氮化硼的制备现状,接着从衬底/介质层/钝化层、隧穿层和吸收层三方面重点回顾了六方氮化硼在光电子器件领域的研究进展。最后,基于六方氮化硼的研究现状,分析了其所面临的一些挑战和机遇。
