编号：FTJS01682
篇名：溅射的Ti薄膜热氧化形成的TiO2薄膜与p+-Si形成的异质结的电致发光
作者： 张安邦； 马向阳； 金璐； 杨德仁；
关键词：二氧化钛； 硅； 异质结； 电致发光；
机构： 浙江大学硅材料国家重点实验室；
摘要： 利阿太磁控溅射法以不同条件在重掺硼硅片（p+-Si）上制备Ti薄膜,经过一定条件下的热氧化转化为TiO2薄膜,从而形成TiO2/p+ -Si异质结。研究表明:要使TiO2/p+ -Si异质结产生显著的电致发光,其中的TiO2薄膜必须呈现单一的锐钛矿相,这就要求在较低的功率下溅射获得晶粒尺寸较小的Ti薄膜。此外,TiO2的薄膜厚度需要控制在合理的范围。文中对上述结果的物理机制进行了探讨。 更多还原
