编号：NMJS01608
篇名：GaN衬底上纳米点阵列的制备及其应用研究
作者：王新中； 于广辉； 李世国；
关键词：GaN； 阳极Al2O3(AAO)； 纳米点阵； 氢化物气相外延(HVPE)；
机构： 深圳信息职业技术学院； 中国科学院上海微系统与信息技术研究所；
摘要： 研究了纳米掩膜在材料外延生长及器件制备中的应用。通过电化学腐蚀和电子束蒸发方法在GaN表面生成Ni和SiO2纳米点阵列,经过等离子体刻蚀在Ni/GaN模板上形成GaN纳米锥形结构;利用氢化物气相外延(HVPE)方法,在SiO2/GaN模板上制备厚膜GaN材料。X射线衍射(XRD)和光致发光(PL)谱测试表明,SiO2纳米点阵能有效阻挡衬底中位错往上延伸,大大降低外延层中位错密度,并有利于厚膜GaN中应力释放。
