编号：CPJS00972
篇名：碳热还原法合成TiC-SiC复合粉末及其生长机理
作者：胡继林； 肖汉宁； 李青； 郭文明； 高朋召；
关键词：TiC-SiC； 复合粉末； 碳热还原法； 生长机理；
机构： 湖南大学材料科学与工程学院； 湖南人文科技学院化学与材料科学系；
摘要： 以硅溶胶、炭黑和TiO2为原料,采用碳热还原法合成TiC-SiC复合粉末。研究反应温度和TiO2添加量对合成TiC-SiC复合粉末的物相组成和显微形貌的影响;对反应过程进行热力学分析和计算,探讨TiC-SiC复合粉末的生长机理。结果表明:TiC-SiC复合粉末适宜的合成条件为在1 600℃保温1 h;在反应过程中,TiC先于SiC形成,TiC的形成抑制了SiC颗粒的生长;当复合粉末中TiC的含量(质量分数)为10%左右时,SiC的合成过程由气-固(V-S)机理反应转变为气-固机理和气-气机理共同反应;复合粉末主要由球状颗粒、短棒状颗粒以及少量晶须组成;随着复合粉末中TiC含量的增加,SiC晶须的生长受到抑制,其形貌逐步由长纤维状向短棒状和颗粒状过渡。
