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W18O49亚微米棒阵列的制备及其生长机理

编号:FTJS02363

篇名:W18O49亚微米棒阵列的制备及其生长机理

作者:刘新利; 张泉; 王世良; 王超; 贺跃辉;

关键词:氧化钨; 亚微米棒; 单晶; 气相沉积;

机构: 中南大学粉末冶金国家重点实验室; 中南大学物理科学与技术学院;

摘要: 以WO3粉末为原料,通过气相沉积法在钨片基底上制备出W18O49亚微米棒阵列。采用扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)和X射线衍射分析(XRD)等对制备出的氧化钨亚微米棒阵列进行物相及形貌分析和表征。同时,提出了W18O49亚微米棒的生长机理,并讨论了生长温度对亚微米棒阵列密度和直径的影响。结果表明:制备出的W18O49氧化钨亚微米棒具有单晶单斜结构,长度为5~15μm,直径为200~800 nm,沿[010]方向生长。

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