编号：NMJS02217
篇名：同轴三层纳米电缆NiO@SiO_2@TiO_2的制备与表征
作者：宋超； 董相廷； 王进贤； 刘桂霞；
关键词：NiO@SiO2@TiO2； 同轴三层纳米电缆； 静电纺丝技术；
机构： 长春理工大学化学与环境工程学院；
摘要： 采用静电纺丝技术,通过改进实验装置,成功地制备出了NiO@SiO2@TiO2同轴三层纳米电缆.采用差热-热重(TG-DTA)分析、X射线衍射(XRD)分析、傅立叶变换红外光谱(FTIR)分析、扫描电子显微镜(SEM)分析和透射电子显微镜(TEM)等分析技术对样品进行表征,结果表明,所得产物为NiO@SiO2@TiO2同轴三层纳米电缆,内层为NiO,直径大约为40～50 nm;中间层为SiO2,厚度大约为40～45 nm;外层为TiO2,厚度大约为45～50 nm.对NiO@SiO2@TiO2同轴三层纳米电缆的形成机理进行了讨论.
