编号：CPJS01192
篇名：Zr掺杂对MgB2超导微观结构和超导电性的影响
作者：张安民；
关键词：MgB2超导体； 显微结构； Zr掺杂； 临界电流密度；
机构： 宿迁学院材料科学与工程系；
摘要： 将Mg粉、Zr粉和B粉按比例混合获得Mg1-xZrxB2(x=5%、10%和20%),压制成型后,在流通氩气的条件下于800℃烧结2h.利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)分析烧结后样品的显微结构和化学组成,采用差热分析(DTA)观察Zr掺杂对MgB2分解温度的影响,并用物性测试仪(PPMS)测试样品的超导电性.结果表明,适量的Zr掺杂使得MgB2的平均晶粒尺寸变小,晶界面积增加和晶粒连接性改善,获得致密性较高的MgB2超导体,其临界电流密度比较大.
