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双层掺混结构CNT薄膜的制备及场发射性能

编号:CPJS01229

篇名:双层掺混结构CNT薄膜的制备及场发射性能

作者:商世广; 赵玲; 高明琪; 刘卫华; 赵萍;

关键词:碳纳米管; 丝网印刷; 双层掺混; 场发射; 阴极薄膜;

机构: 西安邮电学院电子工程学院; 西安交通大学电子与信息工程学院;

摘要: 针对单层掺混结构改善丝网印刷碳纳米管(CNT)薄膜场发射性能的局限性,提出了一种能有效改善CNT薄膜场发射性能的双层掺混结构。相比传统单层掺混结构的CNT阴极薄膜,双层掺混薄膜中上层TiO2介质掺混结构能有效提高CNT的增强因子,下层导电纳米钛粉掺混结构能降低CNT与衬底电极间的接触电阻、提高CNT导电网络的电子传输能力。场发射I-V特性测试表明,当CNT和钛的掺混质量比为1∶1且氮气中预烧温度为450℃时,双层掺混结构CNT薄膜的开启场强为1.53V/μm,电流密度在场强为2.0V/μm时达79.5μA/cm2。该方法为改善丝网印刷CNT薄膜的场发射性能提供了一种可行方案。

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