规格：1-3µm   2-6µm   5-8µm   -300目，-150目

用途：功率模块，向电子封装，测温保护管，高导热氮化铝陶瓷基片，LED，电器元件，砷化镓表面的氮化铝涂层，制作高导热树脂添加。大规模集成电路散热基板和封装材料，高频压电元件、超大规模集成电路基

产品特性：

1. 氮化铝粉末纯度高，粒径小，活性大，是制造高导热氮化铝陶瓷基片的主要原料。 　　

2. 氮化铝陶瓷基片，热导率高，膨胀系数低，强度高，耐高温，耐化学腐蚀，电阻率高，介电损耗小，是理想的大规模集成电路散热基板和封装材料。　　

3. 氮化铝硬度高,超过传统氧化铝,是新型的耐磨陶瓷材料,但由于造价高,只能用于磨损严重的部位. 　　

4. 利用AIN陶瓷耐热耐熔体侵蚀和热震性，可制作GaAs晶体坩埚、Al蒸发皿、磁流体发电装置及高温透平机耐蚀部件，利用其光学性能可作红外线窗口。氮化铝薄膜可制成高频压电元件、超大规模集成电路基片等。　　

5. 氮化铝耐热、耐熔融金属的侵蚀，对酸稳定，但在碱性溶液中易被侵蚀。AIN新生表面暴露在湿空气中会反应生成极薄的氧化膜。利用此特性，可用作铝、铜、银、铅等金属熔炼的坩埚和烧铸模具材料。AIN陶瓷的金属化性能较好，可替代有毒性的氧化敏瓷在电子工业中广泛应用

性状：白色粉末

化学成份：AlN≥99.9%   N≥32.5%   O≤1%   Fe≤0.05% Cr≤0.005% Ni≤0.005%